Epitaxial (Wachstum)Gemischte gas

In der Halbleiterindustrie wird das Gas, mit dem ein oder mehrere Materialschichten durch chemische Dampfablagerung auf einem sorgfältig ausgewählten Substrat angewendet werden, als epitaxiales Gas bezeichnet.

Zu den häufig verwendeten Silizium -Epitaxialgasen gehören Dichlorsisilan, Siliziumtetrachlor undSilan. Hauptsächlich für epitaxiale Siliziumablagerung, Siliziumoxidfilmablagerung, Siliziumnitridfilmablagerung, amorphe Siliziumfilmablagerung für Solarzellen und andere Photorezeptoren usw. verwendet. Epitaxie ist ein Prozess, bei dem ein einzelnes Kristallmaterial auf der Oberfläche einer Substrat abgelagert und gezüchtet wird.

Mischgas für chemische Dampfablagerung (CVD)

CVD ist eine Methode zur Ablagerung bestimmter Elemente und Verbindungen durch chemische Reaktionen von Gasphasen unter Verwendung von flüchtigen Verbindungen, dh einer Filmformierungsmethode unter Verwendung chemischer Reaktionen in Gasphasen. Abhängig von der Art des gebildeten Films unterscheidet sich auch das verwendete chemische Dampfabscheidungsgas (CVD).

DopingGemischtes Gas

Bei der Herstellung von Halbleitergeräten und integrierten Schaltkreisen werden bestimmte Verunreinigungen in Halbleitermaterialien dotiert, um den Materialien den erforderlichen Leitfähigkeitstyp und einen bestimmten Widerstand zur Herstellung von Widerständen, PN -Übergängen, vergrabenen Schichten usw. zu verleihen.

Umfasst hauptsächlich Arsin, Phosphin, Phosphor -Trifluorid, Phosphorpentafluorid, Arsen -Trifluorid, Arsen Pentafluorid,Bor Trifluorid, Diborane usw.

Normalerweise wird die Dopingquelle mit einem Trägergas (wie Argon und Stickstoff) in einem Quellschrank gemischt. Nach dem Mischen wird der Gasfluss kontinuierlich in den Diffusionsofen injiziert und umgibt den Wafer, die Dotierstoffe auf der Oberfläche des Wafers ablegt und dann mit Silizium reagiert, um dotierte Metalle zu erzeugen, die in ein Silizium wandern.

RadierungGasgemisch

Das Ätzen soll die Verarbeitungsoberfläche (z. B. Metallfilm, Siliziumoxidfilm usw.) auf dem Substrat ohne Photoresist -Maskierung wegrüsten, während der Bereich mit der Photoresistmaskierung erhalten bleibt, um das erforderliche Bildgebungsmuster auf der Substratoberfläche zu erhalten.

Ätzmethoden umfassen nasse chemische Radierung und trocken chemische Radierung. Das bei trockenen chemische Radierung verwendete Gas wird als Ätzgas bezeichnet.

Das Ätzen von Gas ist normalerweise Fluoridgas (Halogenid), wie z.Kohlenstoff -Tetrafluorid, Stickstoff Trifluorid, Trifluormethan, Hexafluorethan, Perfluoropropan usw.