Epitaxiales WachstumGemischtes Gas

In der Halbleiterindustrie wird das Gas, das zur Abscheidung einer oder mehrerer Materialschichten mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf einem sorgfältig ausgewählten Substrat verwendet wird, als Epitaxiegas bezeichnet.

Zu den üblicherweise verwendeten Silizium-Epitaxiegasen gehören Dichlorsilan, Siliziumtetrachlorid undSilanHauptsächlich verwendet für die epitaktische Siliziumabscheidung, die Abscheidung von Siliziumoxidschichten, die Abscheidung von Siliziumnitridschichten, die Abscheidung von amorphem Silizium für Solarzellen und andere Photorezeptoren usw. Epitaxie ist ein Verfahren, bei dem ein einkristallines Material auf der Oberfläche eines Substrats abgeschieden und gezüchtet wird.

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) Mischgas

Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Verfahren zur Abscheidung bestimmter Elemente und Verbindungen durch chemische Gasphasenreaktionen unter Verwendung flüchtiger Verbindungen, d. h. ein Filmbildungsverfahren mittels chemischer Gasphasenreaktionen. Je nach Art des erzeugten Films wird unterschiedliches CVD-Gas verwendet.

DopingGemischgas

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen werden Halbleitermaterialien mit bestimmten Verunreinigungen versetzt, um ihnen die erforderliche Leitfähigkeit und einen bestimmten spezifischen Widerstand zu verleihen, mit dem Widerstände, PN-Übergänge, vergrabene Schichten usw. hergestellt werden können. Das im Dotierungsprozess verwendete Gas wird als Dotierungsgas bezeichnet.

Enthält hauptsächlich Arsin, Phosphin, Phosphortrifluorid, Phosphorpentafluorid, Arsentrifluorid, Arsenpentafluorid,Bortrifluorid, Diboran usw.

Üblicherweise wird die Dotierquelle in einem Quellenschrank mit einem Trägergas (z. B. Argon oder Stickstoff) vermischt. Nach der Vermischung wird der Gasstrom kontinuierlich in den Diffusionsofen eingeleitet und umströmt den Wafer. Dabei werden Dotierstoffe auf der Waferoberfläche abgeschieden und reagieren anschließend mit Silizium, wodurch dotierte Metalle entstehen, die in das Silizium migrieren.

RadierungGasmischung

Beim Ätzen wird die Bearbeitungsoberfläche (z. B. Metallfilm, Siliziumoxidfilm usw.) auf dem Substrat ohne Fotolackmaskierung weggeätzt, während der Bereich mit Fotolackmaskierung erhalten bleibt, um das gewünschte Bildmuster auf der Substratoberfläche zu erhalten.

Zu den Ätzverfahren gehören die Nassätzung und die Trockenätzung. Das bei der Trockenätzung verwendete Gas wird als Ätzgas bezeichnet.

Als Ätzgas wird üblicherweise Fluoridgas (Halogenid) verwendet, wie zum BeispielKohlenstofftetrafluorid, Stickstofftrifluorid, Trifluormethan, Hexafluorethan, Perfluorpropan usw.