Epitaktisch (Wachstum)Gemischtes Gas

In der Halbleiterindustrie wird das Gas, das zum Aufwachsen einer oder mehrerer Materialschichten durch chemische Gasphasenabscheidung auf einem sorgfältig ausgewählten Substrat verwendet wird, als Epitaxiegas bezeichnet.

Zu den häufig verwendeten Silizium-Epitaxiegasen gehören Dichlorsilan, Siliziumtetrachlorid undSilan. Wird hauptsächlich für die epitaktische Siliziumabscheidung, Siliziumoxidfilmabscheidung, Siliziumnitridfilmabscheidung, amorphe Siliziumfilmabscheidung für Solarzellen und andere Fotorezeptoren usw. verwendet. Epitaxie ist ein Prozess, bei dem ein Einkristallmaterial auf der Oberfläche eines Substrats abgeschieden und gezüchtet wird.

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) mit Mischgas

CVD ist ein Verfahren zur Abscheidung bestimmter Elemente und Verbindungen durch chemische Reaktionen in der Gasphase unter Verwendung flüchtiger Verbindungen, d. h. ein Filmbildungsverfahren unter Verwendung chemischer Reaktionen in der Gasphase. Je nach Art des gebildeten Films ist auch das verwendete Gas für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) unterschiedlich.

DopingMischgas

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltkreisen werden Halbleitermaterialien mit bestimmten Verunreinigungen dotiert, um den Materialien den erforderlichen Leitfähigkeitstyp und einen bestimmten spezifischen Widerstand zu verleihen und so Widerstände, PN-Übergänge, vergrabene Schichten usw. herzustellen. Das beim Dotierungsprozess verwendete Gas wird als Dotiergas bezeichnet.

Enthält hauptsächlich Arsin, Phosphin, Phosphortrifluorid, Phosphorpentafluorid, Arsentrifluorid, Arsenpentafluorid,Bortrifluorid, Diboran usw.

Normalerweise wird die Dotierungsquelle in einem Quellenschrank mit einem Trägergas (wie Argon und Stickstoff) gemischt. Nach dem Mischen wird der Gasstrom kontinuierlich in den Diffusionsofen geleitet und umgibt den Wafer. Dabei werden Dotierstoffe auf der Oberfläche des Wafers abgeschieden und reagieren dann mit Silizium, wodurch dotierte Metalle entstehen, die in das Silizium migrieren.

RadierungGasgemisch

Beim Ätzen wird die Verarbeitungsoberfläche (wie Metallfilm, Siliziumoxidfilm usw.) auf dem Substrat ohne Fotolackmaskierung weggeätzt, während der Bereich mit Fotolackmaskierung erhalten bleibt, um das erforderliche Abbildungsmuster auf der Substratoberfläche zu erhalten.

Zu den Ätzverfahren gehören das nasschemische Ätzen und das trockenchemische Ätzen. Das beim trockenchemischen Ätzen verwendete Gas wird Ätzgas genannt.

Ätzgas ist in der Regel Fluoridgas (Halogenid), wie z. B.Tetrafluorkohlenstoff, Stickstofftrifluorid, Trifluormethan, Hexafluorethan, Perfluorpropan usw.